DRV8210DSGR

• N沟道H桥电机驱动器
  • MOSFET导通电阻：HS+LS 1Ω
  • 驱动一个双向有刷直流电机
  • 两个单向有刷直流电机
  • 一个单线圈或双线圈锁存继电器
  • 推挽式和双稳态螺线管
  • 其他电阻、电感或 LED 负载
• 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
• 高输出电流能力：
  • 全桥：峰值 1.76A
  • 半桥：每路输出峰值电流 1.76A
  • 并联半桥：峰值 3.52A
• 多个接口，灵活性强，减少GPIO

• 标准PWM接口（IN1/IN2）

• 支持 1.8 V、3.3 V 和 5 V 逻辑输入
• 超低功耗睡眠模式
  • 虚拟机  = 5 V，V 电压控制电路  = 3.3 V，T J  = 25 °碳
  • 定时自动睡眠模式以减少 GPIO
• 保护功能
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 过流保护（OCP）
  • 热关断 (TSD)
• 器件系列。详情请参阅器件比较。
• DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多个接口
• DRV8210P：睡眠引脚，PWM 接口
• DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多个接口
• DRV8212P：睡眠引脚，PWM 接口
• DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多个接口

DRV8210 是一款集成电机驱动器，集成四个 N 沟道功率场效应晶体管 (FET)、电荷泵稳压器和保护电路。三重电荷泵架构允许该器件在低至 1.65 V 的电压下工作，以适应 1.8 V 电源轨和低电池电量情况。该电荷泵集成了所有电容，以减小电机驱动器在 PCB 上的整体解决方案尺寸，并支持 100% 占空比运行。

DRV8210 支持多种控制接口模式，包括：PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥和并联半桥。每个接口均支持低功耗休眠模式，可通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。

该器件可提供高达 1.76A 的峰值输出电流。其工作电源电压为 1.65V 至 5.5V。

该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定 (UVLO)、输出过流 (OCP) 和器件过温 (TSD)。

DRV8210 属于一系列器件的一部分，这些器件采用引脚到引脚可扩展的 R DS（开启）  以及电源电压选项，以最小的设计变更支持各种负载和供电轨。有关此系列器件的详细信息，请参阅“器件比较”。