DRV8328BRUYR

• 65V 三相半桥栅极驱动器
  • 驱动 3 个高端和 3 个低端 N 沟道 MOSFET (NMOS)
  • 4.5 至 60V 工作电压范围
  • 支持 100% PWM 占空比，带涓流充电泵
• 基于自举的栅极驱动器架构
  • 1000mA 最大峰值源电流
  • 2000mA 最大峰值灌电流
• 硬件接口提供简单的配置
• 超低功耗睡眠模式
• 相位间传播延迟匹配为 4ns（典型值）
• 独立驱动器关闭路径（DRVOFF）
• 65V 耐受唤醒引脚 (nSLEEP)
• 支持 SHx 上高达 -10V 的负瞬变
• 6x 和 3x PWM 模式
• 支持 3.3 V 和 5 V 逻辑输入
• 精确的 LDO (AVDD)，3.3 V ±3%，80毫安
• 紧凑型 QFN 封装和尺寸
• 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
• 通过 DT 引脚可调死区时间
• 利用电源模块实现高效的系统设计
• 集成保护功能
  • PVDD 欠压锁定 (PVDDUV)
  • GVDD欠压（GVDDUV）
  • 自举欠压 (BST_UV)
  • 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP）
  • 热关断 (OTSD)
  • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV8328 系列器件是一款适用于三相应用的集成栅极驱动器。该系列器件提供三个半桥栅极驱动器，每个驱动器均能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成正确的栅极驱动电压，并使用自举电路增强高端 MOSFET 的功率。器件内置涓流电荷泵，支持 100% 占空比。栅极驱动架构支持高达 1A 拉电流和 2A 灌电流的峰值栅极驱动电流。DRV8328 可采用单电源供电，并支持 4.5 V 至 60 V 的宽输入电压范围。

6x 和 3x PWM 模式可轻松与控制器电路接口。该器件集成了精确的 3.3 V LDO，可用于为外部控制器供电，并可用作 CSA 的参考电压。该器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚进行配置。

低功耗休眠模式可通过关闭大部分内部电路来实现低静态电流。内部保护功能包括欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过温。故障状态可在 nFAULT 引脚上指示。