JFE150DCKR

• 超低噪音：
  • 电压噪声：
    • 1 kHz 时为 0.8 nV/√ Hz，IDS = 5 mA
    • 1 kHz 时为 0.9 nV/√ Hz，IDS = 2 mA
  • 电流噪声：1 kHz 时为 1.8 fA/√ Hz
• 低栅极电流：10 pA（最大值）

• 低输入电容：V DS = 5 V 时为 24 pF

• 高栅极-漏极和栅极-源极击穿电压：-40V

• 高跨导：68 mS

• 封装：小型 SC70 和 SOT-23

JFE150 是一款 Burr-Brown ™采用德州仪器 (TI) 先进的高性能模拟双极工艺制造的分立式 JFET。JFE150 拥有以往分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供最高的噪声功率比和灵活性，静态电流可由用户设置，并在 50 µA 至 20 mA 的电流范围内提供卓越的噪声性能。当偏置电流为 5 mA 时，该器件的输入参考噪声为 0.8 nV/√ Hz，在极高的输入阻抗（> 1 TΩ）下具有超低噪声性能。JFE150 还集成连接到独立钳位节点的二极管，无需添加高泄漏、非线性的外部二极管即可提供保护。

JFE150 可承受高达 40 V 的漏源电压，以及低至 -40 V 的栅源和栅漏电压。温度范围规定为 -40 °C至+125 °C. 该设备采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。