JFE2140DR

• 超低噪音：
  • 电压噪声：
    • 1 kHz 时为 0.9 nV/√ Hz，IDS = 5 mA
    • 1 kHz 时为 1.1 nV/√ Hz，IDS = 2 mA
  • 电流噪声：1 kHz 时为 1.6 fA/√ Hz
• 低 V GS 失配：4 mV（最大值）
• 低栅极电流：10 pA（最大值）

• 低输入电容：V DS = 5 V 时为 13 pF

• 高栅极-漏极和栅极-源极击穿电压：-40V

• 高跨导：30 mS

• 封装：SOIC，2 毫米 ×2毫米WSON

JFE2140 是一款 Burr-Brown ™采用德州仪器 (TI) 先进的高性能模拟双极工艺制造的音频匹配对分立式 JFET。JFE2140 的性能超越了以往分立式 JFET 技术。JFE2140 在所有电流范围内均具有出色的噪声性能，静态电流可由用户设置为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件的输入参考噪声为 0.9 nV/√ Hz，具有超低噪声性能和极高的输入阻抗（> 1 TΩ）。此外，JFET 之间的匹配性经过测试，以确保 ±4 mV，为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还集成连接到独立钳位节点的二极管，无需添加高漏电流、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受高达 40 V 的漏源电压，以及低至 -40 V 的栅源和栅漏电压。温度范围规定为 -40 °C至+125 °C.