SN74LVC1G38DPWR

• 闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78 II 类标准
• ESD 保护超过 JESD 22
  • 2000-V 人体模型（A114-A）
  • 200-V机器模型（A115-A）
  • 1000V充电器件模型（C101）
• 可在德州仪器
  纳米星 ™和 NanoFree ™套餐
• 支持 5-VV 抄送  手术
• 输入接受高达 5.5 V 的电压
• 支持向下翻译至 V 抄送
• 最大t PD  3.3 V 时为 4.5 ns
• 低功耗，最大 I 为 10µA 抄送
• ±3.3 V 时 24 mA 输出驱动
• 我 离开  支持部分掉电模式和反向驱动保护

SN74LVC1G38 器件设计用于 1.65 V 至 5.5 V 抄送  手术。

该器件是一个双输入NAND缓冲门，具有开漏输出。它执行布尔函数Y =  一个 ×B  或 Y =  一个  +  B  以积极的逻辑。

该设备完全适用于使用 I 的部分断电应用 离开 . 我 离开  电路在设备断电时禁用输出。这可防止电流回流到设备，从而防止设备损坏。

纳米星 ™和 NanoFree ™封装技术是IC封装概念的一次重大突破，采用裸片作为封装。