TLV75509PDQNR

• SOT-23-5封装，60.3 °C/W RθJA可用
• 输入电压范围：1.45V至5.5V
• 低 IQ：25µA（典型值）
• 低压差：
  • 500mA 时为 238mV（最大值）（3.3VOUT）
• 输出精度：1%（85℃时最大） °C）
• 内置软启动，VOUT 单调上升
• 折返电流限制
• 有源输出放电
• 高 PSRR：100kHz 时为 46dB
• 采用 1µF 陶瓷输出电容器保持稳定
• 套餐：
  • 2.9毫米 ×2.8毫米SOT-23-5（DBV）
  • 2.9毫米 ×2.8mm SOT-23-5 (DYD)，带导热垫
  • 1毫米 ×1毫米X2SON-4（DQN）
  • 2毫米 ×2毫米WSON-6（驱动器）

TLV755P 是一款超小型、低静态电流、低压差稳压器 (LDO)，可提供 500mA 电流，并具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV755P 经过优化，支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围，适用于各种应用。为了最大限度地降低成本和解决方案尺寸，该器件提供 0.6V 至 5V 的固定输出电压，以支持现代微控制器 (MCU) 的较低内核电压。此外，TLV755P 具有低 IQ 和使能功能，可最大限度地降低待机功耗。该器件具有内部软启动功能，可降低浪涌电流，从而为负载提供受控电压，并最大限度地降低启动期间的输入压降。关断时，器件会主动下拉输出，快速放电并提供已知的启动状态。

TLV755P 采用小型陶瓷输出电容，工作稳定，从而减小了整体解决方案尺寸。精密带隙和误差放大器可提供 1% 的典型精度。所有器件版本均集成热关断、电流限制和欠压锁定 (UVLO) 功能。TLV755P 具有内部折返电流限制功能，有助于降低短路事件期间的散热。

TLV755 采用常见的 WSON、X2SON 和 SOT23-5（DRV、DQN 和 DBV）封装。此外，该器件还提供热增强型 SOT23-5 (DYD) 封装，该封装带有导热垫，与标准 SOT23-5 封装相比，其热阻显著降低。